氦气检漏设备主要技术指标
实际使用氦气检漏设备时，其较小可检出泄漏率为5×10-13Pa·m3 / s； 泄漏率显示的范围为1×10-3—1×10-13Pa·m3 / s。; 启动时间保持在小于等于3min的范围内； 响应时间小于或等于1。0s; 检漏口较大压力：1000Pa；期望大家在选购氦检漏设备时多一份细心，少一份浮躁，不要错过细节疑问。 电源需要220v，50Hz，单相，10A。
使用氦气检漏设备时，请注意其机械泵的抽速为4L / S； 工作环境要求为5-40℃；2、供方将在合同签定后尽快向需方提供设备外形尺寸、设备电功率、供电位置、用水（气）压力、用水（气）量、管径等。 应注意相对湿度必须小于或等于80％; 尺寸：600（W）×550（D）×1000（H）; 通常重量将保持在65kg。 关于氦气检漏设备，应注意其配备了标准氦气检漏装置，包括更详细的校准报告。
逆流氦质谱检漏仪
逆流氦质谱检漏仪的结构特点如图5所示。该类仪器是根据油扩散泵或分子泵的压缩比与气体种类有关的原理制成的。例如，多级油扩散泵对氦气的压缩比为102;对空气中其它成分的压缩比为lO4～106。检漏时，通过被检件上漏孔进入主抽泵前级部位的氦气，仍有部分返流到质谱室中去，并由仪器的输出指示示出漏气讯号。这就是逆流氦顷质谱检漏仪的工作原理。据悉，美国新能源部曾宣布推出用1900万美元支持电动汽车电池实现极速充电的计划，王朝阳团队的技术在此计划中胜出，被美国新能源部正式采用推广。
半导体设备及材料需要检漏原因
1、半导体设备要求高真空，比如磁控溅射台、电子束蒸发台、ICP、PECVD等设备。出现泄漏就会导致高真空达不到或需要大量的时间，耗时耗力；
2、在高真空环境洁净度高、水蒸气很少。一旦出现泄漏周围环境中的灰尘和悬浮颗粒或尘埃就会对晶元造成污染，对半导体的特性改变并破坏其性能，因此在半导体器件生产过程中必须进行氦质谱检漏；
3、一些半导体设备要用到有毒或有腐蚀性的特殊气体，经过氦质谱检漏后，在低漏率真空条件下，这些气体不易外泄，设备能及时抽走未反应气体和气态反应产物，保障工作人员安全和大气环境。
4、芯片封装，一旦出现泄漏，芯片就会失效。
