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AT-400原子层沉积
2023-09-19 18:05  浏览:4
   AT-400原子层沉积系统技术参数:
  基片尺寸:4英寸;
  加热温度:25℃~350℃;
  温度均匀性:±1℃;
  前体温度范围:从室温至150℃,±2℃;可选择加热套;
  前驱体数:一次同时可处理多达 5 个 ALD 前体源;
  PLC 控制系统:7英寸16 位彩色触摸屏控制;
  模拟压力控制器:用于快速压力检测和脉冲监测
  样品上载:将样品夹具从边上拉出即可;
  压力控制装置:压力控制范围从0.1~1.5Torr
  两个氧化剂/还原剂源,如水,氧气或氨气;
  在样品上没有大气污染物,因为在沉积区的附近或上游处无 Elestamor O 型圈出现;
  氧化铝催化剂处理能力:6-10 次/分钟或高达 1.2 纳米/ 分钟
  高纵横比沉积,具有良好的共形性
  曝光控制,用于在 3D 结构上实现所需的共形性;
  预置有经验证过的 3D 和 2D 沉积的优化配方;
  简单便捷的系统维护及安全联锁;
  目前市面上占地小,可兼容各类洁净室要求的系统;
  可以为非标准样品而订制的夹具,如 SEM / TEM 短截线
  AT-400原子层沉积
  http://www.first-nano.com/SonList-1441859.html
  https://www.chem17.com/st326752/product_26329108.html
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