8分钟前 宁波大电流mos厂家来电咨询「在线咨询」[炫吉电子68cce23]内容:
一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)管,属于绝缘栅场效应管。
场效应管与三极管的区别:
1.场效应管和三极管的区别是电压和电流控制,在性能方面,场效应管要明显优于普通三极管,不管是频率还是散热要求,只要电路设计合理,采用场效应管会明显提升整体性能;
2.场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大,但由于他们构造和工作原理截然不同,所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面,场效应管优于三极管,是三极管无法替代的;
3.场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种载流子;三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与;
4.场效应管属于电压控制器件,没有输入电流也会有输出电流;三极管属于电流控制器件,有输入电流才会有输出电流;
5.场效应管输入阻抗大;三极管输入阻抗小;
6.场效应管的频率特性不如三极管;
7.场效应管的噪声系数小,适用于低噪声放大器的前置级;
8.信号源电流小应该选用场效应管,反之则选用三极管更为合适。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
无论是NMOS或是PMOS,导通后都会有导通电阻,使得电流在电阻上耗费一定的电能,这种耗费叫做导通耗损。这时我们只要挑选导通电阻小的MOS管就可以减少导通耗损,如今的小功率MOS管导通电阻一般也就几十毫欧的样子,甚至几毫欧的都有。MOS在导通和截至的情况下,并不是在一瞬间完成的。
MOS两边的电压有一个降低的过程,流过的电流则有一个升高的过程,在这段时间内,电压和电流相乘即是MOS管的损耗大小。一般开关的损耗要比导通的损耗要大很多,并且要是开关頻率越高,损耗就越大。导通瞬间的电压和电流相乘的数值越大,导致其损耗也越大。如果我们能减少开关时间,就能够减少每次导通时的损耗,减少开关的频率,也就能够减少一定时间内开关的频次,从而做到减少开关损耗。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
伴随着科技的不断发展,电子设备的设计工程师务必持续追随智能科技的脚步,为商品选择更为合适的电子元器件,才能使商品更合乎时期要求。在其中mos管是电子器件生产制造的基本上元器件,因而想要挑选合适的mos管就更要掌握它的特点和各种指标数据。
在mos管的型号选择方法中,从结构形式(N型或是P型)、工作电压、电源开关性能、封装要素及其知i名品牌,应对不一样的产品运用,要求也跟着不一样,下面我们会实际讲解下mos管的封装方式。